La loi de Moore, qui prévoit un doublement de la densité des transistors dans les composants électroniques tous les 18 à 24 mois, a accompagné le secteur de l'électronique durant des décennies mais voit sa fin régulièrement annoncée du fait de l'approche des limites physiques de ce qu'il est possible de réaliser sur silicium, avec des noeuds de gravure se préparant à passer sous la barre des 10 nm.
Morris Chang, président du fondeur TSMC, a confirmé que la loi de Moore n'est plus tenable à l'occasion de l'événement fêtant les 30 ans du groupe taiwainais, même si l'accroissement de la densité en transistors est toujours possible à un rythme plus lent.
Cette progression se poursuivra durant les huit prochaines années mais l'année 2025 constituerait la limite au-delà de laquelle les difficultés pour accroître encore cette densité vont devenir exponentielles.
TSMC, engagé sur le 10 nm et bientôt la gravure en 7 nm, a déjà commencé à préparer les ressources nécessaires pour basculer vers la gravure en 3 nm au début de la prochaine décennie.
De son côté, ASML, fournisseur des équipements de lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) nécessaires pour pouvoir affiner encore la gravure des composants, affirme pour sa part disposer d'une roadmap jusqu'en 2030.
Pour Morris Chang, les problèmes de faisabilité technique interviendront donc bien avant 2030, imposant d'imaginer de nouveaux axes de développement.
