Le géant américain n'a presque rien dit sur la configuration de cette plate-forme, en dehors de l'utilisation de coeurs 64-Bit spécifiques Kryo et d'une gravure FinFET (transistors 3D) qui pourrait passer par la technologie 14 nm de Samsung qui pourrait faire oublier les problèmes de surchauffe du 810.
La plate-forme SnapDragon 820 a peut-être fait une apparition sur l'outil de benchmark Geekbench. Si c'est bien elle (on trouve la référence MSM8996, tandis que SnapDragon 810 correspond à MSM8994), il en ressort que le test single core atteint 1732 et le test multi core grimpe à 4970.
En single core, c'est plus que le SnapDragon 810 (1227 points) et que l'Exynos 7420 (1486 points) mais en multicore, le score est supérieur au SnapDragon 810 (4424 points) mais inférieur aux 5284 points de l'Exynos 7420.
A voir comment cela se traduira sur les smartphones de fin d'année attendus chez HTC ou Xiaomi qui devraient l'exploiter.