Le groupe Intel a été le premier à obtenir des équipements de lithographie EUV High NA (à grande ouverture numérique) de l'entreprise néerlandaise ASML qu'il est déjà en train de de mettre en service pour préparer ses ambitions de gravure fine.
Cette primeur doit permettre à la firme d'avoir un temps d'avance sur son grand concurrent et leader mondial en fonderie TSMC. Toutefois, ce dernier, fort de son poids économique autant que des ambitions stratégiques sur les puces en gravure fine, va bientôt commencer à s'équiper lui aussi.
Le géant taiwanais devrait ainsi recevoir son premier équipement de lithographie EUV High NA, le Twinscan EXE:50000 High NA, d'ici la fin de l'année, selon le Nikkei Asia.
Un investissement de long terme
Il faudra des mois, sinon des années, pour le mettre en service, entre allumage de la source EUV, étalonnage des miroirs et première mise en production, mais le jeu en vaut la chandelle pour rester dans la course à la gravure la plus fine qui se joue désormais sur le noeud 2 nm et en-dessous.
La machine elle-même, de l'installation à la mise en route, représente un gros investissement de 350 millions de dollars, un prix qui en fait un produit rare et peu accessible mais qui pourra faire la différence entre les fondeurs.
Le groupe Intel, s'il réchappe à sa restructuration, prévoit d'en acquérir plusieurs exemplaires (il en aurait déjà reçu un deuxième équipement) pour son service de fonderie IFS qui doit relancer sa génération de revenus actuellement malmenée.
Lithographie EUV High-NA, passeport pour la gravure très fine
La lithographie EUV High-NA devrait être utilisée par TSMC pour de la gravure en 1,4 nm et jusqu'au 1 nm. La gravure en 2 nm devant arriver d'ici 2026, cela signifie qu'il faudra attendre la fin de la décennie pour voir arriver les premières puces gravées sur ces machines.
En parallèle de l'équipement, il faudra encore des investissements en R&D pour développer les techniques de transistors et modifier les lignes de production avant de pouvoir commencer à produire en masse.
TwinScan EXE:5000 d'ASML
De son côté, Samsung devrait également avoir recours à ce type d'équipement pour sa gravure affinée. Ces machines sont en revanche interdites d'exportation vers la Chine dont l'industrie doit se débrouiller sans pour graver finement malgré tout mais avec des coûts très élevés et en s'approchant de limites physiques qui seront difficiles à surmonter.
Et déjà, ASML travaille sur la génération suivante avec la lithographie EUV Hyper NA qui fera grimper l'ouverture numérique à 0.75 et permettra d'atteindre une gravure en-dessous de 1 nm (ou 10 Ängstrom). Mais il faudra sans doute trouver des alternatives au silicium si l'on veut aller encore plus bas.
