Si Micron revendique le record du passage à plus de 200 couches pour la mémoire NAND avec un composant empilant 232 couches, le coréen SK Hynix annonce en retour quelques jours plus tard son propre module Flash NAND TLC embarquant 238 couches.
Elle prendra la suite de la génération en 176 couches lancée fin 2020 et va contribuer à augmenter un peu plus la densité de stockage tout en offrant des vitesses de transfert plus élevées et une consommation d'énergie moindre.
Densité renforcée
SK Hynix annonce une vitesse de transfert doublée par rapport à la génération précédente pour une consommation d'énergie réduite de 21%. La firme exploite plusieurs technologies pour créer ce premier composant NAND 4D de 512 Gb comme le CTF (Charge Flash Trap) et le PUC (Peripheral Under Cell) afin de gagner en compacité et en fiabilité (les cellules stockant les bits d'information sont mieux compartimentées).
Ces premières puces mémoire 238 couches pourront être utilisées dans des SSD et des systèmes de stockage pour PC dans un premier temps mais elles trouveront ensuite place dans les smartphones et les SSD haute performance pour serveurs.
Il faudra toutefois attendre début 2023 pour lancer la production de masse. SK Hynix continuera de faire évoluer son composant en proposant une variante 1 Tb l'an prochain.
