Après la bataille sur le noeud de gravure 16 nm FinFET (et 14 nm FinFET pour la concurrence), le groupe TSMC est prêt à proposer ses technologies de gravure en 10 nm, que l'on retrouvera dans divers composants électroniques l'an prochain, et notamment dans les processeurs mobiles des smartphones haut de gamme annoncés début 2017.
Il prévoit ainsi que les investissements pour la gravure 5 nm et au-delà et la construction d'un nouveau site de production pour un montant chiffré de 500 milliards de dollars taiwanais, ce qui représente la coquette somme de 15,6 milliards de dollars.
Ce nouveau site devrait gérer les noeuds de gravure en 5 nm puis en 3 nm et le ministère taiwanais des sciences et technologies étudie déjà une possible installation dans la partie de l'île, au Kaohsiung Science Park.
TSMC pourrait ouvrir les premières lignes de production en 5 nm pour des tests dès 2017, mais les premières productions en volume n'interviendront pas avant 2020, qui sera aussi la période de pré-lancement de la gravure en 3 nm avant une mise en production à partir de 2022.
Le financement nécessaire sera en partie soutenu par diverses instances du gouvernement taiwanais, la fonderie étant un secteur stratégique de développement, et la gravure en 5 nm devrait être utilisée pour des composants électroniques mobiles et pour le HPC (High Performance Computing).
TSMC aurait déjà mis en place une équipe de 300 à 400 ingénieurs en R&D pour préparer l'arrivée de la gravure en 3 nm, rapporte encore le site Digitimes.
Credit image : Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
